偏壓造句

• 1、當(dāng)左右電子庫(kù)之間存在偏壓時(shí)，通過(guò)對(duì)系統(tǒng)的自旋電流與電荷流公式的分析，得到系統(tǒng)中只存在電荷流而沒(méi)有自旋電流的條件。
• 2、干涉儀的兩個(gè)臂長(zhǎng)相差波導(dǎo)波長(zhǎng)的四分之一，使器件在最佳線(xiàn)性點(diǎn)工作，無(wú)需外加電偏壓。
• 3、在很大的反向偏壓下，光電流緊隨著電吸收發(fā)生變化。
• 4、當(dāng)正向偏壓足夠高時(shí)，擴(kuò)散電容很容易超過(guò)空間電荷壓電容。
• 5、其只利用幾個(gè)模擬參數(shù)，就能準(zhǔn)確的推測(cè)電子傳輸率在各種閘極偏壓下的大小。
• 6、用戶(hù)可以設(shè)定測(cè)量信號(hào)的直流偏壓，測(cè)量振幅，脈沖寬度。
• 7、雪崩光電二極管的偏壓產(chǎn)生電路。
• 8、基極的順向偏壓通常是用和集極相同的電壓源。
• 9、本文主要論述基板員偏壓與銅基體磁控濺射離子鍍鋁膜的關(guān)系。
• 10、正向信號(hào)則使它的正向偏壓減弱。
• 11、不同釘扎層所貢獻(xiàn)的漏磁場(chǎng)導(dǎo)致自由層有不同的矯頑場(chǎng)及偏壓場(chǎng)。
• 12、一個(gè)測(cè)試系統(tǒng)中的主要部分可能包括直流偏壓、直流測(cè)量、功率計(jì)、網(wǎng)絡(luò)分析儀、源，以及其它儀器。
• 13、研究表明，負(fù)襯底偏壓增強(qiáng)成核主要是發(fā)射電子和離子轟擊的結(jié)果。
• 14、結(jié)果表明擴(kuò)散系數(shù)和擴(kuò)散距離都隨著負(fù)襯底偏壓的增大而增大。
• 15、結(jié)果表明隨著負(fù)偏壓的增大，準(zhǔn)直碳納米管的平均直徑減小，平均長(zhǎng)度增大。
• 16、采用有限差分軟件，對(duì)淺埋偏壓單線(xiàn)鐵路隧道和四車(chē)道公路隧道進(jìn)行數(shù)值模擬。
• 17、構(gòu)造圓形截面正截面偏壓承載力極限狀態(tài)方程時(shí)，采用二次多項(xiàng)式替代了求解受壓區(qū)混凝土截面面積的圓心角的超越方程，實(shí)現(xiàn)了對(duì)該節(jié)點(diǎn)的可靠度計(jì)算。
• 18、本文采用交替施加高偏壓和低偏壓的方法，合成出了具有軟膜和硬膜結(jié)構(gòu)的無(wú)氫類(lèi)金剛石多層膜。
• 19、于一實(shí)施例中，該集成電路經(jīng)由第一節(jié)點(diǎn)接收來(lái)自麥克風(fēng)的第一信號(hào)，包括偏壓電路及緩沖電路。
• 20、研究了處理時(shí)間、氣體流量和電極偏壓對(duì)增塑劑滲出量的影響。
• 21、處理后，器件各柵偏壓下的源漏飽和電流降低了，柵漏擊穿電壓有了顯著提高。
• 22、假如隧道在較長(zhǎng)范圍內(nèi)沿著黃土沖溝走向或者與黃土塬邊平行走向，而覆蓋層又較薄或偏壓很大，就會(huì)輕易發(fā)生較大的坍塌或滑坡現(xiàn)象。
• 23、脈沖的電壓，寬度，預(yù)設(shè)直流偏壓和偏置時(shí)間可以由用戶(hù)設(shè)定。
• 24、在本文中，筆者對(duì)偏壓連拱隧道的施工技術(shù)進(jìn)行了分析和研究。 (好工具h(yuǎn)ao86.com)
• 25、實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明這種射頻基片偏壓振蕩現(xiàn)象與等離子體放電參數(shù)以及調(diào)諧電路參數(shù)等多種因素密切相聯(lián)系。
• 26、當(dāng)利用這一配置測(cè)量漏流時(shí)，通過(guò)每個(gè)繼電器的常閉觸點(diǎn)同時(shí)向所有的二極管施加偏壓。
• 27、并在此基礎(chǔ)上，詳細(xì)討論了表面聲波的頻率和功率，以及門(mén)電壓和源漏偏壓對(duì)聲電電流的影響。
• 28、橋式超導(dǎo)故障限流器，它由超導(dǎo)磁體、二極管橋路和直流偏壓源組成。
• 29、注意到這并不比固定偏壓的例子復(fù)雜。
• 30、等離子體浸沒(méi)離子注入是一種新形式的離子注入技術(shù)，是利用負(fù)偏壓工件周?chē)纬傻牡入x子體鞘層進(jìn)行離子加速、進(jìn)而獲得離子注入。
• 31、最后一階段我們對(duì)前翼進(jìn)行了一點(diǎn)調(diào)整，包括剎車(chē)偏壓，還降低了一些胎壓，使得情況稍有好轉(zhuǎn)。
• 32、當(dāng)供應(yīng)電壓小于限制電壓時(shí)，偏壓電流將增加，并決定切換周期的最大截止時(shí)間。
• 33、指出從偏壓隧道實(shí)際工程中總結(jié)其彈性抗力分布規(guī)律是假定抗力法付諸應(yīng)用的一個(gè)簡(jiǎn)單有效的方法。
• 34、研究了基片分支串聯(lián)電阻對(duì)基片自偏壓的影響，發(fā)現(xiàn)了在電阻值區(qū)自偏壓自振蕩現(xiàn)象；
• 35、分析了不同偏壓條件下聲光強(qiáng)度調(diào)制的波形失真。
• 36、一種脈沖負(fù)偏壓電源是由多個(gè)脈沖分量形成的電路串聯(lián)構(gòu)成，脈沖的頻率和占空比直接在高壓側(cè)調(diào)節(jié)。yanglaopt.net/ZaOJU/
• 37、利用納米硬度計(jì)研究了薄膜沉積過(guò)程中基體負(fù)偏壓對(duì)薄膜硬度和彈性的影響。
• 38、藍(lán)光強(qiáng)度與黃光強(qiáng)度的比值隨著反向偏壓的增加而增加。
• 39、且隨著基片偏壓值的增大，電子能量有緩慢的增加，而電子密度則顯著下降。
• 40、提出了基于有限單元法求解偏壓隧道襯砌結(jié)構(gòu)可靠度的方法，開(kāi)發(fā)了實(shí)用計(jì)算機(jī)程序，并給出實(shí)際算例。