基本解釋
原子按一定的方向，完整地、周期性地在空間排布的硅晶體叫單晶硅。單晶硅是由多晶硅制成的。是重要的半導(dǎo)體材料。
詞語(yǔ)來(lái)源
該詞語(yǔ)來(lái)源于人們的生產(chǎn)生活。
詞語(yǔ)造句
1、在倫敦上市的浙江昱輝也生產(chǎn)硅片，但只是單晶硅硅片，這比江西賽維生產(chǎn)的多晶硅硅片和硅錠，光電轉(zhuǎn)化率要低。
2、采用截面顯微觀察法和擇優(yōu)蝕刻法對(duì)電火花線切割單晶硅產(chǎn)生的亞表面損傷層進(jìn)行檢測(cè)。
3、本文敘述了采用單晶硅壓阻效應(yīng)制作真空變送器的機(jī)理和關(guān)鍵工藝．給出了測(cè)量結(jié)果和結(jié)論，討論了該元件應(yīng)用范圍等問(wèn)題。
4、多晶硅作為信息產(chǎn)業(yè)最基礎(chǔ)的原材料，隨著單晶硅市場(chǎng)急劇擴(kuò)大而引起了嚴(yán)重的資源匱乏問(wèn)題。
5、單點(diǎn)切削試驗(yàn)是以不同的法向載荷及切削速度在三種材料（合金鋁、單晶鍺及單晶硅）上分別進(jìn)行。
6、本文采用直流反應(yīng)磁控濺射工藝，以金屬鎢為靶材，在玻璃和單晶硅片上沉積了WO3薄膜。
7、采用單晶硅或多晶硅太陽(yáng)能電池，功率0.20W。
8、研究了過(guò)渡族金屬鎳在快速熱處理作用下對(duì)直拉單晶硅中潔凈區(qū)形成的影響。
9、簡(jiǎn)要介紹硬質(zhì)合金、壓電陶瓷和單晶硅的加工特點(diǎn)及利用超聲微細(xì)加工這三種材料的優(yōu)勢(shì)。
10、使用旋涂方法在K9玻璃和拋光的單晶硅基片上制備薄膜；
11、通過(guò)以上研究可以得出結(jié)論，摻氮直拉單晶硅可以在太陽(yáng)電池中應(yīng)用。
12、本文研究用脈沖激光燒蝕石墨靶方法在單晶硅、K9玻璃等襯底上生長(zhǎng)超硬非晶碳膜。
13、在此基礎(chǔ)上，依照材料的靜電燒蝕機(jī)制計(jì)算單晶硅的燒蝕閾值，結(jié)果和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)符合的較好。
14、單晶硅退火處理時(shí)，往往造成外來(lái)雜質(zhì)的沾污，降低少子壽命，造成質(zhì)量下降。
15、本文的工作是利用MEMS技術(shù)在單晶硅上制作集成PCR芯片。
16、“一方面，最有效率的太陽(yáng)能電池是用單晶硅制成的，但這種材料很貴，”阿爾伯托·威森廷說(shuō)。
17、游離磨料線鋸切割技術(shù)是目前單晶硅切片的主要加工方法。
18、多晶硅電池含有細(xì)小顆粒的單晶硅，它含有很多細(xì)小光亮的成分。
19、本實(shí)驗(yàn)通過(guò)系統(tǒng)地改變沉積參數(shù)，在經(jīng)過(guò)清洗好的單晶硅片上沉積了一系列的氮化硅薄膜。
20、用壓痕功法對(duì)單晶硅的壓痕硬度進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，并與其它方法進(jìn)行了比較分析。
21、最后，討論了原生直拉單晶硅中銅沉淀規(guī)律的機(jī)理。
22、單晶硅和多晶硅體太陽(yáng)能電池成本居高不下，非晶硅和非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池又有光致衰退效應(yīng)的困擾。
23、單晶硅、鍺的超精密車(chē)削表面存在明暗相間的分布特征。
24、研究了利用低能離子束技術(shù)，在單晶硅片等多種基體表面形成類(lèi)金剛石薄膜（DLC膜）。
25、集成電路特征線寬的不斷減小對(duì)直拉（CZ）單晶硅片中的缺陷控制和內(nèi)吸雜技術(shù)提出了愈來(lái)愈高的要求。
26、介紹了正流行的單晶硅諧振式變送器EJA系列智能變送器的工作原理、主要性能及與電廠控制系統(tǒng)DCS的通訊；
27、研究金剛石砂輪磨削單晶硅片時(shí)的表面磨削溫度。
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